EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT

导出

摘要宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation,EPC）是氮化镓（GaN）功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型（enhancement-mode）硅基板氮化镓（GaN-on-Silicon）功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。

作者姚钢

机构地区 EDN China

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2010年第10期38-38,42,共2页 EDN CHINA

关键词电源技术 eGaN MOSFE IGBT 硅基板氮化镓宜普电源转换EPC

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1姚钢.EPC的eGaN FET实现更高的功率密度水平[J].电子设计技术 EDN CHINA,2011,18(8):16-16.
2200V增强型氮化镓（eGaN）功率晶体管[J].今日电子,2011(8):66-66.
3吴琪乐.eGaN FET步入商用阶段[J].半导体信息,2012,0(2):8-9.
4英飞凌推出集成快速体二极管的650 V MOSFET[J].半导体技术,2011,36(3):255-255.
5陆楠.加快eGaN发展 EPC称硅FET已走到尽头[J].电子设计技术 EDN CHINA,2012,19(4):20-20.
6Alex Lidow.向前迈进eGaN FET全新市场及应用分析[J].EDN CHINA 电子技术设计,2013(3):19-19.
7冯志红,谢圣银,周瑞,尹甲运,周伟,蔡树军.A high-performance enhancement-mode AIGaN/GaN HEMT[J].Journal of Semiconductors,2010,31(8):45-47. 被引量：1
8李艳萍,徐静平,陈卫兵,邹晓.深亚微米MOSFET阈值电压模型[J].微电子学,2005,35(1):40-43. 被引量：3
9谭庆华.GaN晶体管商用初见成效[J].集成电路应用,2011(6):23-23.
10崔林.DAM 10kW中波广播发射机射频放大器原理及故障排除[J].辽宁广播电视技术,2016,0(3):27-28. 被引量：1

电子设计技术 EDN CHINA

2010年第10期

浏览历史

内容加载中请稍等...

EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史