非简谐振动对硅晶体肖脱基缺陷浓度的影响

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摘要应用统计物理理论，导出了考虑原子作非简谐振动情况下，晶体中肖脱基缺陷数的统计计算公式；以硅晶体为例，讨论了原子的非简谐振动对肖脱基缺陷浓度的影响．结果表明：考虑了原子作非简谐振动后。

作者石东平

机构地区重庆师范高等专科学校物理系

出处《西南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期373-378,共6页 Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition)

关键词非简谐振动肖脱基缺陷硅晶体半导体

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西南师范大学学报（自然科学版）

1999年第3期

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