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新型低压WO_3基压敏电阻掺杂及制备条件研究 被引量:10

Studies on Fabrication Conditions and Doping of New Low Voltage WO3-based Varistor
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摘要 研究了Co2O3掺杂剂及工艺条件等对低压WO3基压敏电阻性能的影响。在保持MnO2及Na2CO3含量不变的前提下,我们发现,对于WO3-MnO2-Na2CO3系列,掺入Al2O3可以明显改善其电学稳定性,但同时也失去了非线性,而Co2O3的掺入可以明显提高非线性,以1%(摩尔分数)的Co2O3含量为最好,其α值约为5.5(从U1mA到U0.1mA),击穿场强小于10V/mm。最高烧结温度应不低于1100℃~1150℃,低于1050℃时会破坏非线性。简单的数值估算及已有的实验结果表明,需要建立一个有别于ZnO的非线性传导模型以解释WO3的非线性现象。 Effects of additives and fabrication conditions on low voltage WO3-based varistor have been studied in present paper.For the system of WO3-MnO2-Na2CO3,it is found that,when the amounts of MnO2 and Na2CO3 are unchanged,Al2O3 can greatly improve the stability of sample,but at the same time sample become ohmic resister.However,doping of 1mol% Co2O3 can obviously improve the nonlinearity with nonlinear coefficient about 5.5 (from U 1mA to U 0.1mA) and breakdown field below 10V/mm.The maximum sintering temperature is between 11001150,and nonlinearity will vanish below 1050.Simple theoretical calculation and present experimental results indicate that a new nonlinear transport model different from these models for zinc oxide varistor should be established for WO3-based varistor.
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期299-301,共3页 Journal of Functional Materials
基金 湖北省自然科学基金
关键词 钨氧化物 压敏电阻 掺杂 制备条件 tungsten oxide varistor doping fabricating conditions
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