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瑞萨电子开发出40nm高密度撕型SRAM电路技术

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摘要日本瑞萨电子株式会社开发出一种新型SRAM（静态随机存储器）电路技术．可克服因产品微细化而导致的CMOS元件特性不均现象：在保持速度的同时．可以更小的面积实现合适的工作裕度．

出处《军民两用技术与产品》 2010年第8期15-15,共1页 Dual Use Technologies & Products

关键词电路技术 SRAM 开发电子高密度静态随机存储器 CMOS 株式会社

分类号 TN94 [电子电信—信号与信息处理]

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军民两用技术与产品

2010年第8期

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