期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

IR推出SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30V～100V的电压

下载PDF

导出

摘要国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。

出处《电子与电脑》 2010年第8期85-85,共1页 Compotech

关键词 HEXFET功率MOSFET SOT-23封装国际整流器公司电压品系 IR 低导通电阻放电开关

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1SOT-23系列：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2010(8):43-43.
2SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30～100V的电压[J].电子设计工程,2010,18(8):119-119.
3SOT-23MOSFET系列：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2010(9):43-43.
4IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET[J].电子制作,2010,18(4):5-5.
5HEXFET系列：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2010(8):43-43.
6500V L系列HEXFET功率MOSFET[J].国外电子元器件,2003(3):79-79.
7奚龙发.555 7555时基电路放电开关的妙用[J].家庭电子,1998(10):58-58.
8IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活[J].电源技术应用,2010,13(10):75-75.
9-30VSO-8封装P沟道MOSFET系列：P沟道MOSFET[J].世界电子元器件,2010(10):32-32.
10IRFBxxxxPBF：沟道型HEXFET功率MOSFET[J].世界电子元器件,2009(2):50-50.

电子与电脑

2010年第8期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部