Electrical Properties of He＋ion Implanted n-type Si
Electrical Properties of He＋ion Implanted n-type Si
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1周增建,王海,郑胜峰,周渭.一种基于希尔伯特变换的相位差测量方法[J].电子质量,2009(9):18-19. 被引量：11
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2殷爱菡,张清淼,张青苗,展爱云.基于时间标签的EPON多业务加密方案研究[J].光通信技术,2013,37(4):18-21. 被引量：1
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3刘喜成,韩承德.一类时间函数曲线的多向步进压缩描述法[J].电子学报,1997,25(8):117-118. 被引量：2
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4江莉,李林,赵国庆.一种用于多相编码信号参数估计的MST改进算法[J].西安电子科技大学学报,2016,43(4):34-38.
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5王世福,任志远.偏转电流时间函数S校正的理论探讨[J].电视技术,1998(2):33-35. 被引量：1
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6高颖,张业茂,谭正.表面沉积钯层的n型硅光阳极特性的研究[J].化学工程师,1991(4):13-15.
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7朱晓光,洪炳熔,王东木.基于连续小波理论的时间尺度变换实现[J].系统工程与电子技术,1999,21(12):11-13. 被引量：3
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8王盛利,朱力,倪晋麟,张光义.利用频谱相位信息进行角度超分辨的研究与实验[J].电子学报,2000,28(6):1-3. 被引量：2
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9吕涛.跟踪机动目标的一般输入估计方法[J].情报指挥控制系统与仿真技术,2001(2):33-50.
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10胡素兴,傅恩生,徐至展.射频远红外波导自由电子激光器的新特性[J].物理学报,1996,45(8):1319-1325.
