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GaAs体材料折射率红外椭圆偏振光谱研究 被引量:5

STUDY ON THE REFRACTIVE INDEX OF GaAs BULK MATERIAL BY INFRARED SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY
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摘要 报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量GaAs体材料折射率,测量范围为2.5~12.5μm,并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比,表明了实验结果的可靠性. The refractive index of GaAs bulk material was studied using infrared spectroscopic ellipsometer (2.5 ̄12.5μm).Comparisons with data obtained by other methods were also presented, showing good agreement between them.
出处 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期23-25,共3页 Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金 国家自然科学基金
关键词 红外 椭圆偏振光谱 折射率 体材料 砷化镓 infrared ellipsometric spectroscopy, refractive index, GaAs bulk material.
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献1

  • 1叶良修,半导体物理学,1996年,120页

共引文献9

同被引文献28

  • 1马建华,孟祥建,孙璟兰,胡志高,褚君浩.化学溶液法制备的Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)Nd_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的光学特性[J].物理学报,2005,54(8):3900-3904. 被引量:2
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引证文献5

二级引证文献28

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