基于快速模拟退火算法的GaAsMESFET等效电路参数

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摘要本文将改进的快速模拟退火算法用于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ等效电路参数提取，较好地解决了宽带微波半导体器件等效电路建模难题。

作者王卓鹏高国成

机构地区山东矿业学院济南分院

出处《微波与卫星通信》 1999年第1期45-47,共3页

关键词快速模拟退火等效电路微波半导体器件

参考文献1

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微波与卫星通信

1999年第1期

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