摘要
在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。
The relationship between C V index of varactors and the parameters of materials and technics of the device has been studied on the basis of a new improved impurity profile model of hyperabrupt varactors.Then the numerical calculation and the practical relation curve have been fulfilled.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期127-138,128,共13页
Acta Electronica Sinica
基金
国家自然科学基金
辽宁省教委自然科学基金
