铟锡氧化物电极中In的扩散对有机薄膜电致发光器件发光区暗斑形成的影响

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摘要为了研究有机薄膜电致发光器件发光区暗斑的形成,制备了Al/8-羟基喹啉铝/铟锡氧化物/玻璃衬底结构的发光器件,观察了器件失效前后的表面形貌,并对器件进行了微区Auger能谱分析.结果表明,铟锡氧化物电极表面In向有机层内的扩散是产生微区高电场、从而形成发光区暗斑的一个不可忽视的重要因素.

作者廖良生缪熙月周翔熊祖洪何钧邓振波侯晓远

机构地区复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出处《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1999年第1期84-89,共6页

基金国家自然科学基金(批准号:69776034)

关键词有机薄膜失效电致发光器件铟锡氧化物电极

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1999年第1期

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