CuInSe2薄膜生长
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1余晓艳,马鸿文,杨静.黄铜矿型CuInSe_2单晶光电材料研究评述[J].人工晶体学报,1999,28(1):96-102. 被引量：4
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2苏永庆,马子鹤,刘频.一步法电沉积CuInSe_2半导体膜[J].材料保护,1998,31(7):8-9. 被引量：3
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3杨静,马鸿文.黄铜矿型CuInSe_2光电材料的研究现状及展望[J].材料导报,1997,11(2):37-39. 被引量：2
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4杨静,马鸿文.Se化Cu_2In_2O_5法制备CuInSe_2薄膜的机理及性能研究[J].功能材料,2000,31(2):146-148. 被引量：2
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5柳红霞,汤富领,薛红涛,张宇,程育汶,冯煜东.Lattice structures and electronic properties of WZ-CuInS2/WZ-CdS interface from first-principles calculations[J].Chinese Physics B,2016,25(12):207-216.
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