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纯GaN衬底上同质外延的实现

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作者重禾

出处《电子材料快报》 1998年第9期2-3,共2页

关键词 GAN 衬底同质外延 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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2孙丽虹,张启海.半导体化合物Hg_（1－x）Cd_xTe中x值的测定[J].稀有金属,1996,20(2):149-152.
3陈裕权.Kyma推出非极性和半极性GaN衬底[J].半导体信息,2006,0(4):33-33.

电子材料快报

1998年第9期

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