浅离子注入硅中BF2和As的SIMS分析

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摘要利用ＳＩＭＳ方法分别对硅中注入能量的１５ｋｅＶ的注入Ａｓ和注入能量８ｋｅＶ的ＢＦ２样品进行了分析检测，研究了不同的分析条件对测试结果的影响，Ａｓ的蜂值深度１３ｎｍ，Ｂ的为２０ｎｍ，检测限Ａｓ为２×１０＾６ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３，Ｂ为３×１０＾１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３。

作者马农农刘容

机构地区天津电子材料研究所

出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期133-135,共3页 Vacuum Science and Technology

关键词二次离子质谱浅注入硅砷硼

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真空科学与技术

1998年第A12期

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