基于锗硅芯片的光电子学前景与挑战被引量：2

Prospects and Challenges of Si/Ge on Chip Optoelectronic Cells

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摘要作为微电子材料，硅具备许多优良的电学特性．采用硅材料的器件集成度能够比其他材料高几个数量级。然而．硅是一种间接带隙材料，其光学跃迁过程会引入大量低能的声子造成跃迁几率很低．导致其光学特性（发射与吸收）远不如Ⅲ/Ⅴ族半导体材料。

作者 Erich Kasper

机构地区德国斯图加特大学半导体研究所

出处《光学与光电技术》 2010年第2期1-6,共6页 Optics & Optoelectronic Technology

关键词硅芯片光电子学微电子材料半导体材料电学特性带隙材料光学特性跃迁几率

分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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