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横向高压器件LIGBT的新型结构 被引量:1

New Structures of the High Voltage Lateral Device LIGBT
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摘要 围绕传统型横向高压器件LIGBT存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点。 In allusion to the drawbacks of the traditional high voltage lateral device LIGBT such as the long “turn off” time and the small latch up current density, a series of new structures of LIGBT provided in recent years are systematically analysed and constrasted.
出处 《半导体杂志》 1998年第4期45-50,共6页
关键词 LIGBT 结构 关断时间 闩锁效应 功率器件 IC LIGBT new structure turn off time latch up effect
  • 相关文献

参考文献4

  • 1Jayaraman R,Rumenik V.IEDM Tech.Ding,1984.258-261.
  • 2Sin J K O,Mukherjee S,IEEE Electron Device Lett,1991.38(12):45-47.
  • 3Boisvert D M.Plummer James D.IEEE Electron Device Lett.1990.11(9):368-370.
  • 4Disney D R,Pein H B,ISPSD,1994.405-410.

同被引文献6

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