HL—1M装置原位硅化涂层研究

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摘要自ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，本文对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。

作者王明旭张年满

机构地区核工业西南物理研究院

出处《四川真空》 1998年第2期21-27,共7页

关键词等离子体杂质托卡马克第一壁原位硅化涂层

分类号 TL631.24 [核科学技术—核技术及应用] TL621 [核科学技术—核技术及应用]

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