海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

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摘要韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM，工作频宽为7Gbps，32位I／O信道，数据处理速率每秒28GB／s，电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造，体积小，功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。

出处《中国集成电路》 2010年第1期7-7,共1页 China lntegrated Circuit

关键词纳米制程 DRAM 绘图芯片数据处理速率存储器 I/O 32位 B/S

分类号 TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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