HgCdTe光导探测器的失效分析

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摘要利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。

作者邹子英胡晓宁

机构地区上海市计量测试技术研究院中科院上海技术物理研究所

出处《上海微电子技术和应用》 1998年第3期25-27,48,共4页

关键词失效分析光导探测器缺陷工艺损伤汞镉碲

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上海微电子技术和应用

1998年第3期

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