摘要
用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。
a-SiGex: H films with different Ge content were annealed by KrF and XeCl excimer laser. All SiGe films can be poly-crystallized if laser energy density goes beyond threshold. The film with more Ge content has lower energy density threshold and larger grain size.
出处
《光电子技术》
CAS
1998年第3期192-196,共5页
Optoelectronic Technology
基金
国家自然科学基金!59572034
南开大学校内基金
关键词
薄膜
激光退火
多晶化
准分子激光
SiGe_x films,laser annealing,poly-crystallization
