Ar离子辐照单晶Si引起的顺磁缺陷研究被引量：1

Paramagnetic Defect Production in Silicon After112MeV Ar Ion Irradiation

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摘要采用电子顺磁共振研究了１１２ＭｅＶＡｒ离子５０Ｋ以下的低温辐照的单晶Ｓｉ中缺陷产生和退火效应。结果表明：Ａｒ离子辐照Ｓｉ引起了中性四空位（Ｓｉ－Ｐ３心）．非晶化区域等缺陷的形成，Ｓｉ－Ｐ３心分布在电子能损起主导作用的辐照区域，并在２００℃的退火温度消失，伴随着四空位的退火，复杂的空位团，如Ｓｉ－Ｐ１心．Ｓｉ－Ａ１１心等出现，并保持到较高的温度。孤立的非晶区域的完全再结晶发生在３５０℃左右的退火温度，理论估算表明低剂量Ａｒ离子辐照Ｓｉ产生的非晶区域的半径分布在１６－２０Ａ之间，定性地讨论了结果。

作者刘昌龙侯明东朱智勇程松李保权孙友梅王志光金运范李长林王引书孟庆华

机构地区中国科学院近代物理研究所

出处《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 1998年第9期858-863,共6页 High Energy Physics and Nuclear Physics

基金国家自然科学基金甘肃省自然科学基金中国科学院"九五"重点项目

关键词氩离子辐照缺陷单晶硅离子掺杂 EPR

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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相关文献

参考文献1

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引证文献1

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高能物理与核物理

1998年第9期

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