摘要
在 a—Si∶H 薄膜中,H 严重地影响了 a—Si∶H 薄膜的光电性能.我们用自洽场分子轨道理论和 CNDO/2近似方法.计算了[Si_8H_(18)]和[Si_8]原子团结构模型,得到了如下结论,亦即随着[Si_8H_(18)]和[Si_8]结构中取代 H 数目的增加,这些原子团趋于稳定,原子团的禁带宽度 Eg 也随之增大;原子团减小,Si—H 键使 Si—Si 键的作用加强.由此我们得出了随着取代氢数目的增加,整个体系的无序性增强的结论.
In a-Si∶H films,H has a strong affection on the electrical and opticalproperties of a-Si∶H.By using self-consistent field molecular orbital theoryand CNDO/2 approximation method,we calculated〔S_8H_(18)〕and〔Si_8〕clusters and achieved conclusions as follows:with increasing replacementof H in〔si_8H_(18)〕and〔Si_8〕structures,these clusters tend to be stableand reductive,the optical gap Eg being increased.Si-H bonds are.ableto make Si-Si bonds strong,thus it can be concluded that the disorder inthese clusters increases with the number of the replaced H.
出处
《兰州大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期47-54,共8页
Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)
基金
国家自然科学基金
关键词
-SiH
氢
结构模型
原子团
薄膜
non-crystlline
structural model
molecular orbital theory
cluster
