光学光刻技术的研究新进展
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1针对有限驱动电压应用的MOSFET[J].国外电子元器件,2007(3):80-80.
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2徐华,兰林锋,李民,罗东向,肖鹏,林振国,宁洪龙,彭俊彪.源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响[J].物理学报,2014,63(3):444-449. 被引量：4
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3江兴.Agilent 6GHz高线性度的增强模式PHEMT FET[J].半导体信息,2003,0(6):22-23.
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5邓志杰（摘译）.富士通首次制出100WGaN HEMT[J].现代材料动态,2009(2):9-10.
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6苏锋.追求至臻影像 索尼高清数码摄像机HDR-AX2000E[J].微电脑世界,2010(2):28-28.
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7季建平.IMEC和Veeco合作力图降低GaN-on-Si生产成本[J].半导体信息,2013(5):21-22.
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8王晨,周军,宋利,熊红凯.H.264帧内方向预测增强模式[J].上海交通大学学报,2006,40(5):717-723.
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9随时随地投影精彩 索尼发布2011年七款高清数码摄像机新品[J].数字家庭,2011(3):26-27.
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10旗舰来袭快乐分享索尼PJ760E[J].数码精品世界,2012(7):116-118.
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