发光多孔硅的制备条件研究

Study on Preparation of Porous Silicon

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摘要用电化学方法制备了发光多孔硅,研究了电流密度,电阻率,退火条件对多孔硅发光的影响,并对发光机理做了相应的分析;发现了制备方法更为简便的镍酸镧电极取代铝电极工艺。 Porous silicon was prepared through electrochemical process. The effect of current density, resistivity and anneal on photoluminescence properties of porous silicon was studied. The mechanism was analyzed. LaNiO3 electrode whose preparation method is simple can replace Al electrode.

作者彭爱华谢二庆

机构地区中国石油大学(华东)物理科学与技术学院

出处《贵州大学学报（自然科学版）》 2009年第2期112-115,共4页 Journal of Guizhou University:Natural Sciences

关键词多孔硅光致发光电化学 porous silicon photolumineseenee electrochemical

分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]

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