摘要
对不同基体上采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法（ＤＣ－ＧＤＡＲＥ）制备的氧化锡超微粒薄膜的晶相结构进行了分析。结果表明：不同的基体对此类薄膜的生长有极重要的影响作用。
The study on crystal structure of SnO 2 UPF(Ultrafine particle films) prepared by DC gas discharge activating reaction deposition technique is reported. The results indicate that the factors of substrates are most important on the growth of SnO 2 UPF.
出处
《传感器技术》
CSCD
1998年第4期24-26,共3页
Journal of Transducer Technology
关键词
沉积
晶相结构
超微粒薄膜
基体
二氧化锡
Deposition Crystal structure Ultrafine particle films Substrate
