期刊文献+

用超短光脉冲测量半导体微波器件的S参数

Sparameters Measurement of Semiconductor Microwave Devices byUltrashort Optical Pulses
原文传递
导出
摘要 描述了用超短光脉冲测量微波器件S参数的基本原理和建立的测量系统。用该系统测量了频率高达36GHz器件的S参数,并同网络分析仪的测量结果进行了比较,一致性很好。该系统测量频率可达100GHz。 The principle to measure S parameters of microwave devices with ultrashort optical pulses has been described. The measuring system with a maximum frequency up to 100 GHz has been developed. We have measured the devices with a frequency of 36 GHz. The results agree well with those measured by using a network analyzer.
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期495-499,共5页 Chinese Journal of Lasers
基金 "863"计划光电子主题 国家自然科学基金
关键词 超短光脉冲 光导开关 S参数 半导体微波器件 ultrashort optical pulses, photoconduction switch, S parameter
  • 相关文献

参考文献3

  • 1袁树忠,南开大学学报,1994年,1期,17页
  • 2Su Shenghe,Modern Time-domain Measure(in Chinese),1989年
  • 3Jiang Huanwen,Electron Measure(in Chinese),1988年,362页

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部