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掺杂对涂层超导体CeO_2缓冲层薄膜临界厚度影响的理论计算

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摘要 采用第一性原理平面波赝势法计算了稀土元素掺杂超导带材缓冲层CeO2的晶体结构、电子能带、态密度和弹性常数,研究掺杂使CeO2缓冲层临界厚度增加的规律及其机理.在计算范围内,发现掺杂以后的晶胞体积V和弹性常数E*的变化主要取决于系统的电子数增加,拟合得到了弹性常数E*和系统电子数增量Δne之间的变化关系.分析表明,掺入Sm,Gd和Dy可以使Ce1-xRExO2缓冲层薄膜的临界厚度分别提高22%,43%和33%.
作者 潘敏 黄整 麻焕锋 强伟荣 韦联福 王龙 赵勇
机构地区 西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室 西南交通大学物理科学与技术学院 新南威尔士大学材料科学与工程学院超导研究所
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 北大核心 2009年第5期688-692,共5页
基金 西南交通大学青年教师科研起步项目(编号:2007Q017) 国家自然科学基金(批准号:50588201 10874142) 国家重点基础研究计划(编号:2007CB616906)资助项目
关键词 CEO2 第一性原理 薄膜临界厚度 弹性常数
分类号 TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
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共引文献4

中国科学（G辑）
2009年 第5期

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