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离子束增强沉积立方氮化硼薄膜的研究进展

Advances in the Research on c-BN Thin Film Prepared by IBED
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摘要 介绍了用离子束增强沉积法(IBED)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜的主要研究单位及其研究内容和获得的结果。 This paper introduces the oversea research units which have prepared cubic boron nitride (c-BN) thin films by ion beam enhanced deposition (IBED), their research works and experimental results.
作者 况园珠
出处 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期36-38,共3页 Materials Reports
基金 国家自然科学基金 批号59472027
关键词 立方氮化硼 离子束增强沉积 离子轰击 制备 薄膜 Cubic boron nitride(c-BN), Ion beam enhanced deposition (IBED), Ion bombardment, Ion to atom arrival ratio
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