PECVD SiC薄膜的AES研究

AES STUDY OF SIC FILMS FORMED BY PECVD

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摘要本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。

作者刘德中罗兴华张伟周庆王季陶

机构地区上海市测试技术研究所复旦大学

出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第3期189-192,共4页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

关键词 PECVD 硅薄膜化学气相淀积 AES 非晶碳化学状态衬底温度光学带隙介质薄膜俄歇电子

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真空科学与技术学报

1989年第3期

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