摘要
TN248．4 2005064083 气态源分子束外延1．3 μm VCSEL器件结构=1．3μm vertical-cavity surface-emitting laser structure grown by GSMBE[刊．中]/刘成(中科院上海微系统与信息技术研 究所,信息功能材料国家重点实验室．上海(200050)),吴 惠桢…∥功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-173- 176。
出处
《中国光学》
EI
CAS
2005年第6期14-17,共4页
Chinese Optics
