摘要
TN213 2005042956 恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculation of photocarrier concentration of a 1-D loophole HgCdTe PN junction under steady-state incidence [刊,中]／王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)), 蔡毅／／红外技术,-2004,26(6),-41-44,47 通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
出处
《中国光学》
CAS
2005年第4期73-75,共3页
Chinese Optics
