摘要
Vishay TrenchFET第三代功率MOSFET
vishay发布采用新型p通道TrerrchFET第三代技术首款器件Si7137DP，该20VP通道MOSFET具备业内最低的导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。Si7137DP将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业／通用系统中的负载切换应用。
出处
《电子产品世界》
2009年第4期75-75,共1页
Electronic Engineering & Product World
