摘要
非晶态TiO2-SiO2材料,由于Ti的掺杂破坏了均匀的SiO4四面体网络结构,造成Si—O键和Ti—O键断裂而形成三种缺陷:非桥氧,E′心和过氧基。伴随Si—O断键生成的E′心其能带结构如图1所示。价带为完整的SiO4四面体网络的基态。导带底相应于氧原子的2p电子激发到3s轨道。
The existence of E centers, one of the network defects in TiO_2-SiO_2, was identified using the thermoelectroluminescence effect of the irradiated materials by radiative rays. The quantity of the defects tends to, saturation with increasing TiO_2 content up to 7 wt%.
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990年第4期57-58,共2页
Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Jilinensis
关键词
非晶
缺陷
热释光
网络E^'心
non-crystal, defects, thermoelectroluminescence
