摘要
采用偏压辅助热丝化学气相沉积方法,在Si衬底上合成晶态β-和a-C_3N_4材料.并观察到过渡层C_(3-x)Si_xN_y的形成.同时提出“晶格匹配选择生长条件”,对由C_3N_4六棱柱单晶棒组成的花状晶团的生长机理给出了定性的解释。
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1997年第1期49-53,共5页
Science in China(Series A)
基金
中国科学院"百人计划"
国家自然科学基金
国家"杰出青年"基金
香港"求是"基金会"杰出青年学者"基金
英国牛津大学材料系访问学者基金资助项目
