半导体量子阱中的激子束缚能

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摘要本文讨论了半导体量子阱内激子束缚能的计算方法，并推导出了在外电场作用下量子阱中激子束缚能的计算公式。本文推导出的理论结果可用于计算一般半导体材料量子阱内的激子束缚能。

作者张跃

出处《上海微电子技术和应用》 1997年第1期11-13,22,共4页

关键词量子阱激子束缚能半导体

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上海微电子技术和应用

1997年第1期

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