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单晶生长中的三相界面的近似解析解

The analytical expression of the three phase boundary in crystal growth
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摘要 本文考虑了单晶生长中的三相界面问题,即研究了气——液新月形界面满足的Laplace-Young方程2y=β〔y″(1+y′2)3/2-y′x(1+y′2)1/2〕在边界条件为y(∞)=0,y′(∞)=b<0时的解,其中β=2σ0/gΔρ是正常数(Laplace常数).我们得到了新月形高h应满足的关系式:h=βsin2α02cosα0以及新月形轮廓线的一个近似解析解x=1-(I-1βy2+sinα02rhy2)2sinα0rhy其中α0是三相边界(r,h)处的切角,I=11+b2. We consied the three phase boundary problem in crystal growth--to solve the Laplace--Young equation2y=β y″(1+y′ 2) 3/2 -y′x(1+y′ 2) 1/2 with the known endpoints y→0 and y′→b<0 as x→∞,where β=2σ 0/gΔρ is a positive constant--the Laplace constant. In this paper, We obtain the air-liquid meniscue heighth=β sin 2α 02 cos α 0and an approximate analytical expression for the meniscue profilex=1-(I-1βy 2+ sin α 02rhy 2) 2 sin α 0rhy where α 0 is contacting angle at the three phase boundary (r,h),I=11+b 2.
作者 汤国桢
出处 《浙江大学学报(自然科学版)》 EI CSCD 1997年第6期711-716,共6页
基金 国家自然科学基金 浙大曹光彪基金
关键词 单晶 三相界面 界面高 近似解析解 晶体生长 crystal growth three phase boundary menisue height approximate analytical expression
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参考文献2

  • 1汤国桢,浙江大学学报,1993年,27卷,6期,700页
  • 2管志成,人工晶体学报,1991年,3卷,211页

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