非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型

The Vanderwaals bond model for amorphous semiconduct' Staebler-Wronski effects

下载PDF

导出

摘要本文给出了硅基非晶态半导体 Staeber-Wronski 效应(SWE)的范氏键模型,该模型认为硅基非晶态半导体的光致变化是网络内范氏键光致断裂引入的隙态所致。 We propose the Vanderwaals bond model for explaining the photoninduced metastable effects in Si-based amorphous semiconducts,in which the defect states in mobility gap are induced by photonenergies.

作者邹永庆

机构地区淮北煤师院物理系

出处《淮北煤师院学报（自然科学版）》 1990年第2期36-38,共3页 Journal of Huaibei Teachers College(Natural Sciences Edition)

关键词半导体非晶态 S-W效应范氏键模 amorphous semiconducts S-W effect

分类号 TN304.8 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1潘栋,牛憨笨.碱锑型光电阴极非晶特性研究及Cs的体作用[J].电子学报,1995,23(11):65-69. 被引量：1
2“范氏试音大法”与“范氏音响二十要”[J].现代音响技术,2001(5):67-69.
3孔光临.非晶态半导体的现状与展望[J].物理,1989,18(9):537-539.
4苏辉.氧对氢化非晶硅特性的影响[J].安徽大学学报（自然科学版）,1997,21(3):75-77.
5成万英.非晶态半导体的费米能级[J].山东工业大学学报,1989,19(4):87-91.
6彭少麒,李泽峰.非晶半导体的一些新进展[J].物理,1990,19(2):70-74. 被引量：1
7施伟华,陈坤基,杜家方,李志锋.氢化非晶硅光电导研究中的新现象[J].南京大学学报（自然科学版）,1995,31(1):20-24.
8薛华,于积贞,李永忠.掺氢非晶硅薄膜材料光稳定性的研究[J].西北民族学院学报（自然科学版）,2000,21(1):14-16. 被引量：2
9苏辉,邹永庆.氢化硅基非晶体半导体效应与吸收肩的氢键解释[J].半导体杂志,1997,22(1):17-19.
10张世斌,孔光临,徐艳月,王永谦,刁宏伟,廖显伯.Light-Induced Changes in a-Si∶H Films Studied by Transient Photoconductivity[J].Journal of Semiconductors,2002,23(8):794-799.

淮北煤师院学报（自然科学版）

1990年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史