摘要
实验研究CdSeS量子点玻璃在一定电压下电流随时间的变化,分析量子点玻璃的介电弛豫现象.得到CdSeS量子点玻璃的电流弛豫时间随着所加偏压的增大而单调增大;CdSeS量子点玻璃的电流弛豫过程与样品中量子点半径有关,当量子点半径较小或较大时,弛豫时间都较小,当量子点半径居中时,弛豫时间比较大.
Dielectric relaxation of CdSeS quantum dot glass is studied. It was found that relaxation time increases with voltage. Relaxation time is shorter with smaller or bigger quantum dots. With intermediate radius, CdSeS quantum dots relaxation time was the longest.
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期484-486,共3页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
国家自然科学基金资助项目(10574011)
关键词
半导体量子点
CdSeS
介电弛豫
semiconductor quantum dots
CdSeS
dielectric relaxation
