摘要
介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率。
: The transformation of energy band structure for AlP/GaP superlattice from indirect band-gap into direct band-gap is demonstrated in terms of zone-fol-ding effect.As a result the optical transition probability is improved.The expression of this probability is deduced.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期375-379,425,共6页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金
关键词
能带结构
光跃迁
半导体超晶格
量子阱
: AlP/GaP Superlattice,Energy Band Structure,Optical Transition
