区熔法生长掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体

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摘要报道了用区熔法生长掺Sb-Hg(1-x)Cd_xTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10^(-4)。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。

作者王珏刘激鸣俞振中汤定元

机构地区同济大学物理系中国科学院上海技术物理研究所

出处《红外技术》 CSCD 1990年第5期26-29,共4页 Infrared Technology

基金国家自然科学基金

关键词掺Sb-HgCd 晶体材料区熔法制备

参考文献1

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红外技术

1990年第5期

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