摘要
本文用一维紧束缚模型和格林函数方法研究了有晶格畸变晶体的表面电子结构,考虑了晶格弛豫和表面原子库仑积分的变化,分别计算了不同情况下的表面电子密度(SDOS),并以N_1,W晶体为例,给出了其SDOS曲线。对计算结果与理想表面的SDOS曲线进行了比较讨论。
The one—dimensional tight—biding model and the Green's function (GF) method are used to investigate the surface electronic structures of deformed crystals. The surface lattice relaxation and the surface perturbation potential are considered. The surface density of states of variova kinds of crystals are calculated. The results are discussed.
出处
《河南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1990年第4期37-40,共4页
Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)
基金
河南省科学技术委员会资助
