摘要
利用Ｘ射线光电子谱对ＨｇＣｄＴｅ表面氧化特性进行了研究，对不同工艺过程中的ＨｇＣｄＴｅ表面进行了测量、分析。结果表明ＨｇＣｄＴｅ表面的自生氧化与表面处理工艺密切相关，说明ＨｇＣｄＴｅ表面钝化前的表面预处理直接影响钝化层／ＨｇＣｄＴｅ的界面特性。
An influence of X ray irradiation on the forward voltage and the reverse breakdown voltage is observed.The mechanism of the variation in I V characteristics for LEDs caused by X ray irradiation is analysed.The experimental results show that certain amound of X ray irradiation will make a contribution to improve electrical properties of the devices.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期261-265,共5页
Semiconductor Optoelectronics
