摘要
利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）研究了几种经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０６Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｒ气压强０４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件）下所沉积的Ｍｏ单层薄膜的质量及相同溅射条件下不同溅射时间（３５ｓ到２２０ｓ）对成膜质量的影响。实验的结果表明：降低Ａｒ气压强提高溅射电流（即提高氩离子加速电压）都会使形成的薄膜更致密表面更光滑。相同条件下随沉积时间的增加，薄膜的晶粒线度随之增大，晶粒间界变得明显粗糙度变大。几乎所有的样品都观察到晶粒生长有明显的优先取向。
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1997年第4期453-454,共2页
Journal of Chinese Electron Microscopy Society
基金
国家自然科学基金
