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真空间隙击穿机理的分析 被引量:3

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摘要 论述了真空间隙击穿的三种机理(微放电、微粒迁移和场致电子发射)。通过定量的击穿机理分析表明,真空触头间隙击穿的主要原因是:微粒迁移和场致发射引起的阳极蒸发。
出处 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期34-36,共3页 High Voltage Apparatus
基金 霍英东教育基金 武汉市晨光计划基金资助项目
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