摘要
最近,由于材料组合得以实现,应变层 In_xGa_(1-x)As 量子阱激光器已引起广泛注意。人们之所以对这种半导体激光器产生兴趣,一方面是因为看到光谱窗接近1μm,以利用量子阱激光器泵浦新固态基质这一前景;另一方面是因为,如果这一优势得到证实,就可进行空间通信。就这两方面应用来说,可靠性目前仍成问题,所以技术人员对利用 In 进行碰变调节和增加点阵硬度能使这些装置达到长寿命这一点抱有很大希望。高性能 In_xGa_(1-x)As 激光器因最新完成的第一个连续波寿命测试而令人鼓舞。本文报道应变层 InGaAs 激光器的连续波工作时间达5000hr,衰变率每千小时18%,幸存率100%。
出处
《国外激光》
CSCD
1990年第8期14-15,共2页
