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半导体激光性能的进展——第11届国际半导体激光会议报道

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摘要 第11屇国际半导体激光会议的中心议题是半导体激光技术的继续改进,而不是惊人的突破。改进包括从某些结构、较长和较短波长、较低阈值电流等半导体激光器中获得更高功率以及从半导体激光列阵中获得较优质光束。该会由电气及电子工程师学会(IEEE)激光和电光学协会发起,于1988年8月29日~9月1日在波土顿举行,全世界约有400名研究人员出席。大部分论文来自美国和日本,其次是西欧几国,苏联和中国的论文较少。美国麻省理工学院林肯实验室和麦克唐纳·道格拉斯航空公司的研究组报道了宽条形、
作者 从征
出处 《国外激光》 CSCD 1990年第2期18-19,共2页
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