摘要
本文系统地评述晶体缺陷包括不同类型的位错、层错、孪晶片对晶体生长的贡献。着重介绍晶体生长的位错机制、层错机制、重入角机制、局域粗糙机制以及重入角与局域粗糙的协同机制，并对不同机制的生长动力学进行系统的比较。
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期187-187,共1页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
晶体不完整性
晶体生长
动力学
crystal imperfection,growth mechanism,growth dynamics
