摘要
通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族CKP半导体中的CdSiAs2，计算了其双折射性，量化了双折射性同应力的线性关系，它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示，少量的参杂Ge（ 〈5％），能够实现非临界位相匹配I类二次谐波产生（SHG）在CO2激光谱线范围可调谐，它可能具有很高的有效χ^（2）。
By First-principles study of semiconductor material CdSiAs2 in Ⅱ-Ⅳ-V2 family, we show that NCPM type I SHG would be tunable over the range of CO2 laser line with a small concentration of Ge（〈5%） with a high effective X^（2）. While experimental data on this so far barely studied material are needed to refine our prediction, the present calculations are expected to provide some guidance to the design of these materials.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期334-336,共3页
Journal of Functional Materials
基金
基金项目：国家自然科学基金资助项目（10604040）
山西省青年科技基金资助项目（2007021002）
