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纳米技术助力高密度存储

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摘要 最近,中国科学院物理研究所和化学研究所在纳米信息存储材料领域再获突破。在原来工作的基础上,他们成功地在H2 Rotaxane分子薄膜中实现了可逆的电导变化和可擦除、稳定的、可重复使用的接近单分子尺度的纳米级存储。具有以上功能的材料及其在信息存储中的应用是超高密度信息存储研究的重要方向之一。
出处 《纳米科技》 2007年第5期69-69,共1页
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