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3英寸6H-SiC单晶的生长 被引量:1

Growth of 3 inch 6H-SiC Single Crystal
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出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期717-718,共2页 Journal of Synthetic Crystals
基金 国家863计划(2006AA03A145) 国家自然科学基金(No.50472068) 山东省重大科技专项计划(2006GG1103046)支持项目
  • 相关文献

参考文献1

共引文献15

同被引文献7

  • 1POWELL A,JENNY J, HOBGOOD H M, et al. Growth of SiC substrates [ J ]. International Journal of High Speed Electronics and Systems ,2006,16 ( 3 ) :751 - 777.
  • 2SUDARSHAN T S, MAXIMENKO S I. Bulk growth of single crystal silicon carbid [ J ]. Microelectronic Engineering, 2006,83 ( 1 ) : 155 - 159.
  • 3HAO J M,WANG L J,FENG B. Growth of 2-inch V-doped bulk 6H-SiC with high semi-insulating yield [ J]. Journal of Electronic Materials ,2010,39 ( 5 ) :530 - 533.
  • 4SYVAJARVI M. High growth rate epitaxy of SiC:growth processes and structural quality [ D ]. Linkoping Studies in Science and Technology ,1999.
  • 5SEMI M55-0304,Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers[ S] .
  • 6Silicon carbide substrates and epitaxy [ EB/OL]. [ 2010 - 05 - 10 ] http://www. cree. com/products/pdf/MATCATALOG. pdf.
  • 7王香泉,洪颖,吴华,冯玢,郝建民,严如岳.半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究[J].半导体技术,2010,35(2):121-124. 被引量:2

引证文献1

二级引证文献6

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