摘要
经常有人将MRAM（磁阻RAM，magnetoresistive randoma ccess memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新，它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。
出处
《世界电子元器件》
2007年第10期106-107,共2页
Global Electronics China
